NAND闪存技术代差,国产追到什么水平?谁为AI铺路,谁偏向消费者

FMS 2026存储大会上,三星放出第十代V-NAND,堆叠层数突破400层,全新的晶圆键合架构。铠侠和闪迪联合发布了332层的第十代BiCS FLASH QLC,接口速率4.8Gb/s。长江存储这边,267层Xtacking 4.0已经量产,下一代目标300层以上。

表面看是层数竞赛,拉开差距的是架构思路。

三星的V10 BV-NAND不继续在一个晶圆上往上堆,把存储阵列和外围电路分别做在两片晶圆上,再用晶圆键合工艺拼到一起。这套方案叫Bonding V-NAND,层数增长不再受单片工艺极限约束,缩短电信号传输距离,读写速度和I/O性能跟着提升。按三星官方数据,V10比V9密度提升58%,已经供货英伟达。

铠侠和闪迪的路线,叫CBA(CMOS directly Bonded to Array),也是CMOS电路和存储阵列分开做再键合。第十代BiCS FLASH用这套架构做到332层,位密度提升60%,QLC颗粒和4.8Gb/s的高速接口,明确面向AI数据中心的KV-Cache缓存场景,暂时不是给消费级SSD用的。

长江存储的Xtacking架构思路是存储阵列和外围电路分开制造,然后面对面键合。但起步晚,量产的Xtacking 4.0做到267层,技术节点和三星V9、铠侠第九代BiCS算同一梯队。

三星V10已经量产并进英伟达供应链,长江存储的下一代300层以上产品还在研发阶段;三星和铠侠的新技术全压在企业级和AI市场,长江存储的产品大头还在消费级SSD,企业级占比很低,加上实体清单限制,海外数据中心客户的认证几乎拿不到。

真正的差距在三个层面:

一是制造工艺能不能跑通晶圆键合这条新技术路线,

二是客户结构能不能打进利润更高的企业级市场,

三是产品迭代速度能不能跟上AI基础设施的扩张节奏。

对消费者来说,原厂把最先进的制程和架构优先给AI数据中心,消费级SSD拿到的往往是上一代甚至上上一代的技术,或者同代技术里性能和耐久度调教更保守的版本,当然企业级SSD的单价和毛利是消费级的好几倍,不能企业是黑心资本家,商人本质上还是逐利,哪里利润高就去哪里。

长江存储的处境是:技术上已经追进了第一梯队,量产节奏和层数水平跟国际大厂差一到两代;市场和客户结构上的短板让它只能吃消费级这个利润最薄的盘。

对国内装机用户来说,长江存储的存在至少保证了消费级SSD有一条稳定的供货线,不至于完全被海外原厂卡死;但也别指望它凭技术优势把价格打下来,因为长存也在涨。

下一次技术节点的关键看点,是各家怎么把晶圆键合架构从400层往500层甚至更高推进,以及谁能先跑通面向AI推理场景的新存储形态,比如三星在FMS上展示的zHBM概念,把HBM直接堆在AI加速器上方;铠侠在推的CXL协议存储,试图打通内存和存储的边界。这些才是未来两三年存储技术真正的竞争焦点,层数反而不是最重要的指标了。

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