9 月 4 日消息，华为半导体负责人何庭波，在此前公布的论文中，进一步公开了麒麟9030 Pro与最新麒麟2026款（或命名麒麟9050 Pro）的，各项参数对比，现汇总如下：
一、制程工艺
◆ 制程工艺：仅作进一步优化，整体保持不变，仅靠 LogicFolding 架构实现以下效果！
◆ 晶体管密度：155 → 238 MTr/mm²，提升 53.5%！
——2031 年预计实现 400+MTr / mm² 晶体管密度，目标达到 台积电1.4 纳米制程的同等水平！
二、CPU
【1】单核数据对比（测试平台GeekBench 6）
◆ 核心频率：单核最高频率由，9030Pro的最高2.75GHz提高至3.1GHz，电压保持不变；
——相同频率下，电压由前代的1.1V降低至1.0V。
◆ 单核性能：相同测试条件下，单核性能由前代1854分提高至2084分，性能提升约12.4%，功耗增加约14%！
——相同性能下单核功耗暴降23%！
【2】CPU多核数据
◆ CPU功耗：功耗降低 41%，核心供电电压从 1.1V 降至 0.9V，性能保持不变；
——相同电压下功耗增加11%。
◆ CPU规格：大核（P 核）主频提升 12.7%，单核心时钟缓冲器减少 50%、时钟偏移降低 25%、布线总长缩短 30%；
——预计2031 年实现5.0GHz 主频。
三、GPU
◆ 游戏帧率：游戏帧率提升42%，功耗增加29%；
——游戏帧率保持相同时，电压由0.8V下降至0.6V，功耗暴降58%！
四、NPU
◆ 理论算力：电压由前代的0.85V，下降至0.7V，且性能暴涨141%，功耗小幅提升37%！
——NPU算力飞跃式升级！
◆ 能效：与前代性能相同时，功耗暴降66%，电压仅0.55V！
五、存储规格
◆ 预计全球首发支持LPDDR6内存+UFS5.0超高性能平台！
◆ SRAM 存储工作频率提升 40% 以上；
六、封装散热设计
◆ 片上高速互联面积缩减 55%，供电稳定性提升。
◆ 采用选择性局部折叠（仅在性能关键路径使用），不整颗芯片全堆叠，控制散热压力。
——未来会发展 3~4 层全多层折叠；
◆ 小结：从离散优化（模块级，谁的模块放哪层）变成连续优化（单元级，每个逻辑门单独决定放哪层）。
